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邓朝勇老师“研究生导师信息简表”
新葡京8883net: 2016-09-11 浏览次数: 2195
邓朝勇  
出生年月 1977.1 导师类别 博导 硕导
毕业院校 北京交通大学 博士
教授 现任职务 实验室主任
办公电话 0851-88290521 电子邮件 cydeng@gzu.edu.cn
招生学科方向 学科方向1 微电子学与固体电子学 学科方向2 物理电子学
主要研究领域与方向

1、新型光电子材料与器件;

2、低维半导体材料与器件;
3、材料热力学与材料设计;
4、氧化物功能膜材料制备与表征。

 

2014年以来主要承担的科研项目(注明主持或参与、项目来源、项目名称、项目研究起止时间)

[1] 国家自然科学基金,聚合物/氧化物纳米复合光电薄膜器件中电双稳现象的研究,2015.01-2018.12,主持人;51462003

[2] 贵州省委组织部,贵州省高层次创新型人才百层次人才,2015.01-2017.12,主持人;黔科合人才(2015)4006号
[3] 贵州省教育厅,贵州省研究生卓越人才,电子科学与技术专业研究生卓越人才计划,2014.05-2017.05,主持人;黔教研合ZYRC字[2014]001

 

2012年以来主要发表学术论著(作者、论文题目、期刊名称、发表时间、期卷页码)

[1] Chi Zhang, Xinyong Gong, Ruirui Cui, Chaoyong Deng. Improvable luminescent properties by adjusting silicon–calcium stoichiometric ratio in long afterglow phosphors Ca1.94MgSi2O7: Eu2+0.01, Dy3+0.05[J]. Journal of Alloys and Compounds, 2016, 658, 898-903 (通讯作者)

[2] Chi Zhang, Xinyong Gong, Chaoyong Deng. The phase transition of color-tunable long afterglow phosphors Sr1.94-xBaxMgSi2O7: Eu2+0.01,Dy3+0.05[J]. Journal of Alloys and Compounds, 2016, 657: 436-442 (通讯作者)
[3] Song Zhang, Xu Wang, Junli Ma, Ruirui Cui, Chaoyong Deng. Fabrication of sandwich-type MgB2/Boron/MgB2 Josephson junctions with rapid annealing method [J]. Journal of Alloys and Compounds 2015, 649: 1226-1230 (通讯作者)
[4] Xucheng Li, Rongfen Zhang, Ruirui Cui, Chaoyong Deng. Luminescent properties of SrSi2O2N2:Eu2+ by the two-step synthesis [J]. Journal of Alloys and Compounds 2015, 650: 470-474 (通讯作者)
[5] Rongfen Zhang, Chaoyong Deng, Li Ren, Zheng Li, and Jianping Zhou. Dielectric, ferromagnetic and maganetoelectric properties of BaTiO3-Ni0.7Zn0.3Fe2O4 composite ceramics [J]. Materials Research Bulletin, 2013, 48(10): 4100-4104 (通讯作者)
[6] Song Zhang, Chao-Yong Deng, Xu Wang, Yan-Ping Wu, Yao Fu, Xing-Hua Fu. Superconducting MgB2 film prepared by chemical vapor deposition at atmospheric pressure of N2 [J]. Thin Solid Films, 2015, 584: 300-304; (通讯作者)
[7] Ruirui Cui, Chaoyong Deng, Xinyong Gong, Xucheng Li, Jianping Zhou. Luminescence properties of Eu3+ doped CaBi2Ta2O9 bismuth layered-structure ferroelectrics[J]. Materials Research Bulletin, 2013, 48(10): 4301-4306; (通讯作者)
[8] Rongfen Zhang, Chaoyong Deng, Li Ren, Zheng Li, and Jianping Zhou. The Giant Dielectric Constant and High Initial Permeability of BaTiO3-Ni0.5Zn0.5Fe2O4 Composite Ceramics[J]. Journal of Solid State Science and Technology, 2013, 2(9): N165-N168;(通讯作者)
[9] Rongfen Zhang , Chaoyong Deng, Li Ren, Zheng Li, Jianping Zhou. Ferroelectric, Ferromagnetic and Magnetoelectric Properties of Multiferroic Ni0.5Zn0.5Fe2O4-BaTiO3 Composite Ceramics[J]. Journal of Electronic Materials, 2014, 43(4): 1043-1047;(通讯作者)
[10] Jinlan Li, Chaoyong Deng, Ruirui Cui. Photoluminescence properties of CaBi2Ta2O9: RE3+ (RE=Sm, Tb and Tm) phosphors[J]. Optics Communications, 2014, 326: 6-9;(通讯作者)
[11] Ruirui Cui, Chaoyong Deng, Xinyong Gong, Xucheng Li, Jianping Zhou. Luminescent performance of rare earths doped CaBi2Ta2O9 phosphor [J]. Journal of Rare Earths, 2013, 31(6): 546-550;(通讯作者) [12] Ruirui Cui, Chaoyong Deng, Xinyong Gong, Xucheng Li, Jianping Zhou. Photoluminescence properties of a green to red-emitting Eu3+, Tb3+ co-doped CaBi2Ta2O9 ferroelectrics [J]. Journal of Electroceramics, 2014 32(2-3): 215-219;(通讯作者)
[13] Wu Dongni, Cui Ruirui, Gong Xinyong, Deng Chaoyong. Synthesis and Photoluminescence Properties of NaLa0.7(MoO4)2-x(WO4)x: 0.3Eu3+ Novel Red Phosphors [J]. Chinese Journal of Luminescence, 2016, 37(3): 274-279;(通讯作者)
[14] Wu Xin, Li Xucheng, Cui Ruirui, Li Liangrong, Deng Chaoyong. Effects of thermal treatment temperature on photoluminescence properties of Li2SrSiO4: Eu2+ phosphors[J]. Journal of Optoelectronics Laser, 2013, 24(5): 956-960;(通讯作者)
[15] Wu Xia, Li Xucheng, Luo Siyuan, Gong Xinyong, Deng Chaoyong. A study on the luminescence of different crystallographic sites for Sr2SiO4:Eu2+ phosphors[J]. Journal of Optoelectronics Laser, 2013, 24(11): 2162-2168;(通讯作者)
[16] Yang Xiaoping, Cui Ruirui, Zhang Chi, Deng Chaoyong. Luminescent properties of a novel near-infrared super-long afterglow material Zn3Al2Ge2O10: Cr3+[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2014, 35(3): 300-305;(通讯作者)
[17] Zhang Chi, Cui Ruirui, Gong Xinyong, Deng Chaoyong. Effects of reducing atmosphere on luminescent properties of persistent luminescence material Sr1.94-xBaxMgSi2O7: Eu0.012+, Dy0.053+[J]. Journal of Optoelectronics Laser, 2014, 25(3): 501-507;(通讯作者)
[18] Cui Ruirui, Gong Xinyong, Deng Chaoyong. Synthesis and photoluminescence properties of the Pr3+ doped CaBi2Ta2O9 yellow-emitting phosphors[J]. Journal of Optoelectronics Laser, 2014, 6(25) 1134-1139;(通讯作者)
[19] Gong Xinyong, Cui Ruirui, Li Liangrong, Deng Chaoyong. Synthesis and photoluminescence properties of Eu2+ activated Ba3Si6O12N2 phosphor for white LED applications[J]. Journal of Optoelectronics Laser, 2014, 25(1): 113-117;(通讯作者)
[20] Ma Yalin, Shi Jian, Li Xucheng, Yang Lizhong, Deng Chaoyong. Effect of substrate temperature on the structure and optical properties of the Ta2O5 thin film[J]. Journal of Functional Materials, 2013, 44(23): 3405-3407;(通讯作者)
[21] 吴冬妮, 崔瑞瑞, 邓朝勇. 白光LED用红色荧光粉Sr0.7Ca0.3-2xMoO4:Eux3+Nax+的制备及发光性能研究[J]. 光电子激光, 2014, 25(8): 1516-1520;(通讯作者)
[22] Xin Wang, Ruirui Cui, Chaoyong Deng. Photoluminescence properties of CaBi4Ti4O15: Dy3+ for white light-emitting diodes[J]. Current Research on Functional Materials, 2014, 1053: 8-14;(通讯作者)
[23] 罗思远, 李绪诚, 崔瑞瑞, 邓朝勇. CaSi2O2N2:Ce3+/Eu2+荧光粉的发光性能研究[J]. 光电子激光, 2015, 26(5): 899-904;(通讯作者)
[24] 张松, 马军礼, 付尧, 邓朝勇等. 芘掺杂对MgB2薄膜超导性能的影响[J]. 功能材料, 2016, 2(47): 02055-02059;(通讯作者)
[25] 李睿, 龚新勇, 崔瑞瑞, 张弛, 邓朝勇. Eu2+掺杂Sr2(PO4)2磷灰石荧光粉的发光性能研究. 光电子激光, 2016, 27(1): 45-51;(通讯作者)
[26] 马军礼, 张松, 吴艳平, 王旭, 崔瑞瑞, 邓朝勇. 磁控溅射法结合异位退火制备MgB2超导薄膜的研究. 超导技术, 2015, 43(12): 51-66;(通讯作者)
[27] 马军礼,张松, 付尧, 王旭, 崔瑞瑞, 邓朝勇. 退火工艺对制备二硼化镁超导薄膜的影响. 低温与超导, 2015, 43(11): 43-48;(通讯作者)
[28] 刘微, 崔瑞瑞, 邓朝勇.新型近红外超长余辉材料Zn3Ga4GexO9+2x: 1%Cr3+的制备与发光性能研究. 光电子激光, 2016, 27(2): 150-155; (通讯作者)
[29] 任丽, 张荣芬, 李峥, 张安邦, 邓朝勇. 复合陶瓷 BaTiO3/Ni0.5Zn0.5Fe2O4的常温巨介电特性研究. 电子元件与材料, 2014: 7, 008;(通讯作者)
[30] 张安邦,祁小四,邓朝勇.用于铁电BaTiO3薄膜的Ta2O5隔离埋层[J]. 微纳电子技术,2013, 50: 701;(通讯作者)
[31] 吴莘,崔瑞瑞,李绪诚,李良荣,邓朝勇. 助熔剂对Ca0.98Bi2Ta2O9:0.02Pr3+发光性能的影响[J]. 中国稀土学报,2013, 31: 296;(通讯作者)
[32] 杨利忠,李绪诚,吴震,李良荣,邓朝勇. GaN基TFT-LED有源阵列显示芯片的设计研究[J]. 半导体光电,2013, 34: 212;(通讯作者)
[33] 张锗源,杨发顺,杨法明,张荣芬,邓朝勇. 嵌套式斩波运放的分析与设计[J]. 微电子学,2012, 42: 25;(通讯作者)
[34] 杨法明,杨发顺,丁召,傅兴华,邓朝勇. 高压超结VDMOS结构设计[J]. 固体电子学研究与进展,2012, 32: 298;(通讯作者)
[35] 王常,吴震,邓朝勇. 一种无片外电容 LDO 的瞬态增强电路设计[J]. 电子设计工程,2013, 21: 14;(通讯作者)
[36] 吴震,王常,张荣芬,方波,邓朝勇. 人工耳蜗言语处理系统的CIS算法设计与实现[J]. 集成电路应用,2012, 38: 62;(通讯作者)
[37] 付尧,张松,吴燕平,邓朝勇. MgB2超导材料掺杂研究进展[J]. 材料导报,2013, 27: 19;(通讯作者)
[38] 王洪伟,张松,崔瑞瑞,李绪诚,张荣芬,邓朝勇. 超导MgB2掺杂及薄膜制备研究进展[J]. 材料导报,2012, 26: 28;(通讯作者)
[39] 吴燕平,张松,付尧,王旭,邓朝勇. 前驱B膜沉积时间对MgB2薄膜超导特性的影响[J]. 低温与超导,2014, 42(1): 49-64; (通讯作者)
[40] 刘洪超,祁小四,邓朝勇. 形貌可控的CdS微米/纳米结构的表征和发光性能[J]. 微纳电子技术,2014,59(9):560-564;(通讯作者)
[41] 李金岚, 崔瑞瑞, 邓朝勇. 黄色荧光粉CaBi2Ta2O9: Dy3+的制备及发光性能[J]. 激光与光电子学进展, 2014, 51: 071605; (通讯作者)

2012年以来获得发明专利、科研(教学)成果奖及成果推广情况

[1] 一种TFT-LED彩色阵列显示基板及其制造方法,邓朝勇,杨利忠,杨小平,胡绍璐,雷远清,专利号:ZL.201110367855.4;(20130703,发明专利)

[2] 大功率倒装阵列LED芯片及其制造方法,邓朝勇,杨利忠,李绪诚,张荣芬,专利号:ZL.201110214627.3;(201311 20,发明专利)
[3] 复合电极超级电容器及其制备方法,邓朝勇,石健,马亚林,崔瑞瑞,专利号:ZL.201110224070.1;(20121107,发明专利)
[4] 叠片式金属化薄膜电容及其制备方法,邓朝勇,马亚林,石健,张安邦,专利号:ZL.201110386265.6;(20130703,发明专利)
[5] 一种多量子阱TFT-LED阵列显示基板及其制造方法,邓朝勇,杨利忠,雷远清,杨小平,胡绍璐,专利号:ZL.201110367504.3;(20150729,发明专利) [6] 发光二极管阵列芯片结构及其制备方法,邓朝勇,李绪诚,王新,张安邦,杨利忠,专利号:ZL.201210065483.4;(发明专利,20140716)
[7] 一种蓝光激发TFT-LED阵列显示基板及其制造方法,邓朝勇,杨利忠,胡绍璐,杨小平,雷远清,专利号:ZL.201110367494.3;(发明专利,20140326) [8] 利用LED芯片发射圆偏振光的方法及产品及其制备方法,邓朝勇,张荣芬,杨利忠,李绪诚,专利号:ZL.201110190102.0;(发明专利,20140409)
[9] 高性能薄膜电阻,邓朝勇,雷远清,崔瑞瑞,张荣芬,专利号:ZL.201120217033.3;(20111228,实用新型)
[10] 发射圆偏振光的LED芯片,邓朝勇,张荣芬,杨利忠,李绪诚,专利号:ZL.201120238700.6;(20120118,实用新型)
[11] 金属薄膜电容,邓朝勇,马亚林,石健,崔瑞瑞 ,专利号:ZL.201120283891.8;(20120711,实用新型)
[12] 复合电极超级电容器,邓朝勇,石健,马亚林,崔瑞瑞,专利号:ZL.201120283893.7;(20120307,实用新型)
[13] 一种蓝光激发TFT-LED阵列显示基板,邓朝勇,杨利忠,胡绍璐,杨小平,雷远清,专利号:ZL.20112045721.0;(20120801,实用新型)
[14] 一种多量子阱TFT-LED阵列显示基板,邓朝勇,杨利忠,雷远清,杨小平,胡绍璐,专利号:ZL.201120459784.6;(20120926,实用新型)
[15] 一种TFT-LED彩色阵列显示基板,邓朝勇,杨利忠,杨小平,胡绍璐,雷远清,专利号:ZL.201120460248.8;(20120711,实用新型)
[16] 叠片式金属化薄膜电容,邓朝勇,马亚林,石健,张安邦,专利号:ZL.201120483546.9;(20120711,实用新型)
[17] 阵列式真彩发光二极管芯片,邓朝勇,李绪诚,王新,张安邦,杨利忠,专利号:ZL.201220093411.6;(2012年11月7日,实用新型,有证书)
[18] 高发光效率白色LED荧光灯,邓朝勇,杨利忠,王新,专利号:ZL.201220331978.2;(实用新型,20130109)
[19] 高散热效率LED光源,邓朝勇,王新,杨利忠,专利号:ZL.201220331983.3;(实用新型,20130109)
[20] 倒装阵列LED芯片,邓朝勇,杨利忠,李绪诚,张荣芬,专利号:ZL.201120337670.4;(实用新型,20120711)
[21] 大功率倒装阵列LED芯片,邓朝勇,杨利忠,李绪诚,张荣芬,专利号:ZL.201120399059.4;(实用新型,20120711)

学术兼职及荣誉称号

2008年国家教育部“新世纪优秀人才支持计划”入选者;

2009年贵州省“优秀青年科技人才支持计划”入选者;
2010年贵州省“新型功能材料与器件科技人才创新团队”领衔人;
2013年贵州省“第八届高等教育省级教学成果奖二等奖”获得者(排名第二);
2014年“全国优秀科技工作者”、“贵州省优秀科技工作者”、“贵州省高层次创新型人才百层次人才”入选者。

 
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