新葡京8883net,www.8883.net,澳门新葡新京

闫江老师个人简介
新葡京8883net: 2016-09-09 浏览次数: 3089


 

 

研究方向:

    极大规模集成电路的集成技术

办公地点:

    北京市朝阳区北土城西路中科院微电子研究所

联系方法:

    010-82995770(办公室)


2009年- 现在 中国科学院微电子研究所

1999年-2009年 英飞凌公司(Infineon)美国研发总部

1992年-1995年 美国德克萨斯大学微电子中心

1986年-1992年 中国科学院微电子研究所

1995-1999 美国德克萨斯大学奥斯汀分校电机系 博士

1983-1986 中国科学院半导体研究所 硕士

1978-1983 中国科技大学物理系半导体专业学士


    作为重大专项“22纳米关键工艺技术先导研究及平台建设”的主要项目负责人排名第二荣获2014年度中国科学院杰出科技成就奖


研究项目:

1)1986.11-1991.12国家七五科技重点攻关项目:VLSI中各种薄膜栅结构界面特性的研究

2) 1999.12-2000.7英飞凌和IBMIBM 8英寸线上的联合研发项目:体硅0.18微米 eFlash集成技术

3) 2000.7-2003.1英飞凌,IBM和台湾联华半导体公司在IBM 8英寸线上的联合研发项目:体硅0.13微米和90纳米eDRAM集成技术

4) 2003.3-2004.1英飞凌和台湾联华半导体公司在联华8英寸线上的联合研发项目:体硅90纳米集成技术

5) 2004.1-2005.7 Infineon,IBM,CharteredSamsung 4个半导体公司在美国IBM 12英寸线上的联合研发项目:体硅65纳米集成技术

6) 2005.7-2007.7 Infineon,IBM,Chartered,SamsungSTMicroelectronics,Toshiba6个半导体公司在美国IBM 12英寸线上的联合研发项目:体硅45纳米集成技术

7) 2007.7-2009.7 Infineon,IBM,Chartered,SamsungSTMicroelectronics, Toshiba, NEC GloalFoundries8个半导体公司在美国IBM 12英寸线上的联合研发项目:体硅32纳米集成技术

8) 2009.7-2012.12 国家科技重大专项课题:“22纳米关键工艺技术先导研究及平台建设课题六工艺整合及集成技术

9)2012.1-2014.12 国家科技重大专项课题:“16/14nm基础技术研究

发表论文:

[1] Jiang Yan, METHOD FOR MANUFACTURING CONTACT HOLES IN CMOS DEVICE USING GATE-LAST PROCESSUS 8,759,208 B2

[2]Jiang Yan; Danny Pak-Chum Shum; Armin Tilke, MIXED ORIENTATION SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODUS 8,530,355 B2

[3]Jiang Yan; Danny Pak-Chum ShumSTRAINED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MAKING SAMEUS 8,502,299 B2

[4]Jiang Yan; Danny Pak-Chum ShumFORMATION OF ACTIVE AREA USING SEMICONDUCTOR GROWTH PROCESS WITHOUT STI INTEGRATIONUS 8,173,502 B2

[5]Jiang Yan; Danny Pak-Chum Shum, STRAINED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MAKING SAME,US 8,158,478 B2

[6]Jiang Yan; Danny Pak-Chum Shum, FORMATION OF ACTIVE AREA USING SEMICONDUCTOR GROWTH PROCESS WITHOUT STI INTEGRATION, US 7,985,642 B2

[7]Jiang Yan; Roland Hampp; Jin-Ping Han; Manfred Eller; Alois Gutmann, METHODS OF FORMING CONDUCTIVE FEATURES AND STRUCTURES THEREOF,US 7,947,606 B2

[8]Jiang Yan; Danny Pak-Chum Shum, FORMATION OF ACTIVE AREA USING SEMICONDUCTOR GROWTH PROCESS WITHOUT STI INTEGRATION,US 7,786,547 B2

[9]Jiang Yan; Chun-Yung Sung; Danny Pak-Chum Shum; Alois Gutmann, SEMICONDUCTOR METHOD AND DEVICE WITH MIXED ORIENTATION SUBSTRATE ,US 7,678,622 B2

[10].Jiang Yan; Danny Pak-Chum Shum, STRAINED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MAKING SAME,US 7,651,915 B2

授权专利:

2011年10月至2014年9月获授权发明专利情况

序号

发明专利名称

作者

授权时间

专利授权号

1

一种混合线条的制造方法

唐波,闫江

2015/11/25

ZL201110460558.4

2

METHOD FOR MANUFACTURING CONTACT HOLES IN CMOS DEVICE USING GATE-LAST PROCESS

闫江

2014/6/24

8759208

3

METHOD FOR FILLING A GAP

钟汇才,梁擎擎,闫江,赵超

2015/5/5

9024435

4

Shallow trench isolation structure, manufacturing method thereof and a device based on the structure

闫江

2015/6/30

9070744

5

METHOD FOR MONITOR THE REMOVAL OF POLYCRYSTALLINE SILICON DUMMY GATES

杨涛,赵超,李俊峰,闫江,陈大鹏

2013/8/6

8501500

6

Method of Manufacturing Dummy Gates in Gate Last Process

杨涛,赵超,闫江,李俊峰,卢一泓,陈大鹏

2013/3/24

8541296

7

METHOD FOR FORMING GATE STRUCTURE, METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

杨红、马雪丽、王文武、韩锴、王晓磊、殷华湘、闫江

2014/12/30

8921171

8

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

殷华湘,闫江,陈大鹏

2014/10/7

8853024

9

METHOD FOR FORMING TIN BY PVD

付作振 殷华湘 闫江

2014/8/12

8802578

10

METHOD FOR MANUFACTURING DUMMY GATE IN GATE-LAST PROCESS AND DUMMY GATE IN GATE-LAST PROCESS

李春龙,李俊峰,闫江,赵超

2015/12/1

9202890

11

METHOD FOR MANUFACTURING DUMMY GATE IN GATE-LAST PROCESS AND DUMMY GATE IN GATE-LAST PROCESS

李春龙,李俊峰,闫江,赵超

2015/8/18

9111863

 

 

 
XML 地图 | Sitemap 地图