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谢泉老师个人简介
新葡京8883net: 2016-09-09 浏览次数: 3356



    谢泉:博士后、博士、教授、博士生导师、硕士生导师,贵州省首届百层次人才,贵州省省管专家、贵州省优秀青年科技人才,澳门新葡新京新葡京8883net电子科学与技术学科带头人,贵州省先进光电子材料与技术创新团队负责人,贵州省电子科学与通信工程人才基地负责人,贵州省教育厅电子科学与技术特色重点学科负责人,中国中小企业融资项目评审咨询专家,科技部863课题评审专家,科技部国际合作课题评审专家,国家自然科学基金同行评议专家,教育部电子信息类专业教学指导委员会委员,教育部电子信息类专业教学指导委员会教材编写委员会委员,中国仪器仪表学会高级会员,贵州省科技厅新材料专家组成员,贵州省科学决策学会常务理事,电子元件与材料期刊理事,国际期刊Phys. B 等多家期刊特约审稿人,民进贵州省委员会副主任委员,贵州省第十二届全国人大代表,澳门新葡新京新葡京8883net院长,澳门新葡新京新型光电子材料与技术研究所所长,民进澳门新葡新京基层委员会主任,澳门新葡新京留学归国人员联谊会会长,贵州省留学归国人员联谊会常务理事,贵州省第八届青年联合会副主席,民进贵州省委第五、六届副主委,贵州省第九、十届政协委员。

 

研究方向:环境友好先进光电子材料与器件、传感器与传感系统、材料模拟与

         技术

办公地点:澳门新葡新京博学楼613s

联系方法: 0851-83626705 1476451077@qq.com

 



本科:中南大学材料科学与工程系金属物理专业

硕士:湖南大学物理科学与微电子学院理论物理专业

博士:湖南大学化学化工学院无机非金属材料专业

博士后:中国科学院上海光学精密机械研究所材料科学与工程博士后流动站

1990,71993,2湖南邵阳玻璃厂技术科工作

1993,31998,6湖南大学物理科学与微电子学院工作

1998,62004,2长沙理工大学物理与微电子学院工作

其中:

199862000,6 中国科学院上海光学精密机械研究所材料科学与工程博

士后流动站工,

2001102002,10 日本saitama 大学大学院机能材料工学科访问学者

2004,2现在澳门新葡新京新葡京8883net电子科学与技术系工作

其中: 2015,182016,17北京市顺义区政府副区长(挂职1年)



1.2015年获贵州省首届研究生教学成果二等奖

2. 2014年获贵州省首批优秀博士生导师

3.2012年获贵州省科技进步三等奖

4.2009年贵州省首届青年科技创新人才奖

52009年获澳门新葡新京优秀科研特等奖

62007年获贵州省五一劳动奖章

7. 2007年获第2届中国归国侨眷“科技人才创新”奖

8. 2006年获全国各民主党派、工商联、无党派人士为全面建设小康社会作贡

献全国先进个人

9. 2006年获为全面建设小康社会作贡献民进中央全国先进个人

10. 2006年获贵州省第2批优秀科技工作者

11. 2005年获民进中央全国优秀会员

12. 2007年获澳门新葡新京逾十年教龄“教书育人风范奖”

13. 参加完成的科研课题获2001年国家自然科学二等奖




研究项目 :

主持的科研项目:

[1]贵州省高层次创新型人才-百层次培养项目,贵州省科技厅,2015.01-2017.1260万,主持。

[2]贵州省特色重点学科建设-电子科学与技术,贵州省教育厅,2014.10-2017.1020万,主持。

[3]电子科学与技术品牌特色专业建设,澳门新葡新京品牌特色专业建设项目,合同号: PTJS2013022014.1-2016.1260,主持,教学科研项目;

[4]贵州省电子科学与通信工程技术人才基地,贵州省委组织部贵州省第四批人才基地项目,2013.12-2016.12100万,主持;

[5]基于环境友好半导体材料β-FeSi2Mg2Si的光电子器件设计与研究,国家自然科学基金,合同号: 612640042013.1-2016.12, 50万,主持;

[6]环境友好半导体光电子材料Mg2Si红外传感器的开发研究,贵州省教育厅125重大专项,合同号:黔教合重大专项字[2012]0032012.10-2015.1280万,主持;

[7]贵州省先进光电子材料与技术创新人才团队,贵州省科技创新人才团队建设专项资金,合同号:黔科合人才团队[2011]4002, 2011.10-2014.1031.5万,主持;

[8]硅化物LED光电子器件开发,贵州省科技攻关项目,合同号:黔科合GY[2011]30152011.6-2014.535万,主持;

[9]半导体材料SiGeSiGe合金液态凝固过程中的遗传特性研究,贵州省国际科技合作计划项目,合同号:黔科合外G[2012]70042012.6-2014.510万,主持;

[10]新型环境友好半导体材料β-FeSi2及其光电子器件的研究,科技部国际合作专项项目,合同号:2008DFA52210, 2008.1-2010.1280万,主持;

[11]新型环境友好半导体材料βFeSi2薄膜的制备及其在太阳能电池中的应用研究,贵州省信息产业厅项目,合同号:08312008.6-2010.610万,主持;

[12]环境半导体材料Ca2Si的制备与应用研究,国家自然科学基金项目,合同号:60766002 2008.1-2010.12, 20万,主持;

[13]环境半导体材料β-FeSi2的物理基础与关键技术,国家自然科学基金项目,合同号:605660012006.1-2008.1220万,主持;

[14]新型环境半导体材料β-FeSi2的物理基础与关键技术研究,贵州省优秀科技教育人才省长专项基金,合同号:黔省专合字(2005365号,2006.1-2008.126万,主持;

[15]大尺寸纳米薄膜环境半导体材料β-FeSi2的制备、光电子特性与应用研究,国家人事部留学人员科技活动择优资助项目,2005.1-2006.124万,主持;

[16]新型环境半导体材料β-FeSi2的物理基础与应用研究,贵州省科技厅国际科技合作项目,合同号: 黔科合G20054001022005.1-2007.124万,主持;

[17]薄膜环境半导体材料β-FeSi2的制备,光电子特性与应用研究,教育部留学回国科研基金,合同号:教外司(20053832005.1-2006.123万,主持;

[18]掺杂(MnCr)环境半导体材料β-FeSi2的研究,贵州省优秀青年科技人才培养计划,合同号: 黔科合人200505282005.1-2008.1221万,主持;

[19][15]新型环境半导体材料β-FeSi2的物理基础与应用研究,澳门新葡新京引进人才科研项目,2004.6-2006.128万,主持;

[20]大尺寸纳米薄膜环境半导体材料β-FeSi2的制备、光电子特性与应用研究,贵州省留学人员科技项目,合同号:黔人项目(2004032005.1-2006.123万,主持;

[21]纳米薄膜环境半导体材料β-FeSi2的制备、光电子特性与应用研究,省委组织部高层人才科研特助项目;2006.1-2008.125万,主持;

[22]环境半导体材料β-FeSi2的物理基础与关键技术,教育部博士点专项科研基金,合同号:20050657003, 2005.1-2006.126万,主持;

[23]大尺寸纳米薄膜环境半导体材料β-FeSi2的开发与应用研究,贵州省教育厅重点项目,合同号:黔教科2004103,2004.9-2006.123万,主持;

[24]掺杂(MnCr)环境半导体材料β-FeSi2的研究,教育部科学技术重点项目,合同号:2061332005.1-2007.122万,主持;

附指导的博士、硕士申请的项目:

[1]磁控溅射制备环境半导体b-FeSi2及其物性研究,贵阳市科技局大学生创业科技项目,合同号:2007筑科计合同字第6-3号,2007.12-2008.121.2万,04级博士生张晋敏主持;

[2]环境友好半导体材料Ca2Si的物理基础及关键技术的研究。贵州省教育厅重点项目,合同号:No.20062122006-200905级博士生杨吟野主持,

[3]磁控溅射制备环境半导体Ca2Si及其性质研究,贵州省科技厅自然科学基金项目,合同号:黔科合No.(2007)21772007-201005级博士生杨吟野主持

[4]新型环境半导体材料Ca2Si的物理基础与关键技术研究。贵阳市科技计划项目,合同号:No. (2006)21-42006-20091.5万,05级博士生杨吟野主持

[5]Mg2Si电子结构及光学性质的研究及其应用,贵阳市科技计划项目,合同号:筑科计(20076号),2008.01-2009.122万,06级博士生陈茜主持;

[6]Mg2Si电子结构及光学性质的研究,澳门新葡新京研究生创新基金,合同号:省研究理工20070032007.9-2009.406级博士生陈茜主持;

[7]磁控溅射制备BaSi2薄膜材料及其光电特性研究,贵州省科技厅自然科学基金项目,合同号:黔科合J[2010]2002号,2010.6-2012.1206级博士生杨子义主持,

[8]环境半导体材料BaSi2的制备工艺及其光电特性研究,贵阳市科技计划项目,合同号:[2009]筑科大合同字第6号,2009.10-2011.0906级博士生杨子义主持,

[9]环境半导体材料Mg2Si的磁控溅射制备及其性质研究,贵州省科技厅自然科学基金项目,合同号:黔科合J[2009]2059号,2009.6-2012.54万,07级博士生肖清泉主持;

[10]环境半导体材料Mg2Si的制备及其光电性质研究,贵阳市科技计划项目,合同号:[2008]筑科计合同字第15-3号,2008.10-2010.91.2万,07级博士生肖清泉主持;

[11]液态Si凝固过程中团簇结构形成和演变特性的研究,贵州省研究生创新基金,合同号:省研理工20100102009.10-2011.409级博士生高廷红主持;

[12]掺杂(MrCr)及不同取向Ca2Si晶体电子结构及光学性质的研究,澳门新葡新京研究生创新基金,合同号:校研理工20060042007.3-2009.206级硕士生赵凤娟主持;

[13]新型环境友好半导体材料Ru2Si3的电子结构及光学性质的研究,澳门新葡新京研究生创新基金,合同号:校研理工20090102008.11-2010.207级硕士生崔冬萌主持;

[14]掺杂(CrMn)环境半导体材料β-FeSi2的研究,贵阳市科学计划项目,合同号:2007筑科计合同字第6-1号,1.3万,2007.12-2009.1205级硕士生梁艳主持;

发表论文:

[1]Ma R, Wan M, Huang J, . Calculation of electronic structure and mechanical properties of DO3–Fe75-xSi25Nix intermetallic compounds by first principles[J]. International Journal Of Modern Physics B, 2015: 1550087

[2]Xie Zhuo-Cheng, Gao Ting-Hong, Guo Xiao-Tian, Xie Quan. Molecular dynamics simulation of nanocrystal formation and deformation behavior of Ti3Al alloy[J]. Computational Materials Science, 2015,98: 245-251 SCIEI

[3]Xie Zhuo-Cheng, Gao Ting-Hong, Guo Xiao-Tian, Xie Quan. Influence of the isothermal process at glass transition temperature on growths of Frank–Kasper polyhedral clusters in TiAl3 alloy[J]. Journal Of Non-crystalline Solids, 2014,406: 95-101 SCIEI

[4]Xie Zhuo-Cheng, Gao Ting-Hong, Guo Xiao-Tian, Qin Xin-Mao, Xie Quan. Network connectivity in icosahedral medium-range order of metallic glass: A molecular dynamics simulation[J]. Journal of Non-crystalline Solids, 2014,406: 31-36 SCIEI

[5]Xie Zhuo-Cheng, Gao Ting-Hong, Guo Xiao-Tian, Qin Xin-Mao, Xie Quan. Growth of icosahedral medium-range order in liquid TiAl alloy during rapid solidification[J]. Journal of Non-crystalline Solids, 2014,394-395: 16-21 SCIEI

[6]Xie Zuocheng, Gao Tinghong, Guo Xiaotian, et al. Glass formation and icosahedral medium-range order in liquid Ti-Al alloys[J]. Computational Materials Science, 2014: 502–508SCISCIEI

[7]Qin Xinmao, Gao Tinghong, Guo Xiaotian, Xie Quan. Molecular Dynamics Simulation of Graphene Bombardment with Si Ion[J]. Journal of Molecular Structure20141061:19-25. (SCI)

[8]Xie Zuocheng, Gao Tinghong, Guo Xiaotian, Qin Xinmao, Xie Quan. Evolution of icosahedral clusters during the rapid solidification of liquid TiAl alloy[J].Physica B: Condensed Matter, 2014440 :130–137.(SCI)

[9]Ma Rui, Xie Quan, Huang Jin. Electronic structure and ferromagnetism of Fe11NiSi4, Fe11CoSi4, Fe11CrSi4 and Fe3Si from first principles[J]. Intermetallics. 2014, 46:12-17. (SCI)

[10]YU Hong, XIE Quan, CHEN Qian. Effect of Mg-Film Thickness on the Formation of Semiconductor Mg2Si Films Prepared by Resistive Thermal Evaporation Method[J]. Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science Edition), 2014, 29(3): 612-616. (SCI)

[11]Gao Tinghong, Yan Wanjun, Guo Xiaotian, Qin YunxiangXie Quan. Structural evolutions and properities of germanium clusters during rapid cooling processes[J]. Modern Physics Letters B201327 (32)1350241-1-9.(SCI)

[12]Chen Qian, Xie Quan, Xiao Qingquan, Zhang Jinmin. The influence of lattice deformation on the elastic properties of Mg2Si[J]. Science China-Physics, Mechanics and Astronomy, 2013,56(4): 701-705. (SCI)

[13]Ma Rui, Xie Quan, Huang Jin, Yan Wanjun, Guo Xiaotian. Theoretical study on the electronic structures and magnetism of Fe3Si intermetallic compound[J]. Journal of Alloys and Compounds, 2013,552(3): 324-328.SCIEI

[14]MA Rui, XIE Quan, HUANG Jin, GUO Xiaotian, YAN Wanjun. First Principles Study on Elastic Constants, Ferromagnetism and Electronic Structures of Alloyed Fe3Si Doped with Mo, Ti or Nb [J]. Chin.Phys. Lett. 2013, 30(12): 127104. (SCI)

[15]Ma Rui, Huang Jin, Xiong Xicheng, Fan Menghui, Yan Wanjun, Xie Quan. Structure stability and ferromagnetism of carbon alloying Fe3Si compound from first principles calculations[J]. physica status solidi (c), 2013, 10(12): 1750-1752. (EI)

[16]Yu Hong, Xie Quan, Chen Qian. Effects of annealing on the formation of Mg2Si film prepared by resistive thermal evaporation method[J]. Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 2013, 24(10):3768-3775. (SCI/ EI).

[17]YAN WanJun, GAO TingHong, GUO XiaoTian, QIN YunXiang, XIE Quan. Melting kinetics of bulk SiC using molecular dynamics simulation[J]. SCIENCE CHINA Physics, Mechanics & Astronomy, 2013, 56(9): 1699-1704. (SCI /EI)

[18]YAN WanJun, GAO TingHong, GUO XiaoTian, QIN YunXiang, XIE Quan. Structural Properties of Liquid SiC during Rapid Solidification[J]. The Scientific World Journal. 2013, 2013: 7pages. (SCI)

[19]Yan Wanjun, Xie Quan, Gao Tinghong, Guo Xiaotian. Microstructural evolution of SiC during melting process[J]. Modern Physics Letters B, 2013, 27(31): 1350231(11pages) . (SCI)

[20]Yan Wanjun, Gao Tinghong, Guo, Xiaotian, Xie, Quan. Structural characteristics of liquid SiC during quenching process[J]. Physica Status Solidi (C), 2013, 10(12):1777-1780.(EI)

[21]Gao Tinghong, Yan Wanjun, Guo Xiaotian, Qing Yunxiang, Xie Quan. Structural properties in liquid Si during rapid cooling processes[J]. Physica B: Condensed Matter, 2013, 419: 28-31. (SCI/EI)

[22]Xiong Xicheng, Xie Quan, Yan Wanjun. Relationship between the thickness of β-FeSi2 thin film and the solar photo wavelength[J]. Chinese Journal of Mechanical Engineering, 2012, 25(2): 315-319. (SCI)

[23]Zhu Changyin, Xie Quan. Simulation study of microstructure transition of liquid Ge during rapid cooling solidification[A]. Materials Science Forum, 2011:1306-1309.EI

[24]Zhang Jinmin, Xie Quan, Liang Yan, et al. Thermal process of iron silicides prepared by Magnetron sputtering[J]. Physics Procedia, 2011,11: 122-125. EI

[25]Zhang Jinmin, Xie Quan, Liang Yan, et al. Atomic diffusion in the interface of Fe/Si prepared by magnetron sputtering[J]. Physics Procedia, 2011,11: 126-129. EI

[26]Yang Ziyi, Hao Zhengtong, Xie Quan. Effects of Heat Treatment on Growth of BaSi2 Film On Si (111) Substrates[A]. Materials Science Forum, 2011:1273-1276. EI

[27]Yang Ziyi, Hao Zhengtong, Xie Quan. Effects of annealing temperature on the structure and surface feature of BaSi2 films grown on Si (111) substrates[J]. Physics Procedia, 2011,11: 118-121. EI

[28]Xiao Qingquan, Xie Quan, Zhao Kejie, et al. Effect of Sputtering Pressure on the Formation of Semiconducting Mg2Si Films[J]. Materials Science Forum, 2011,663-665: 166-169. EI

[29]Xiao Qingquan, Xie Quan, Yu Zhiqiang, et al. Influence of sputtering power on the structural and morphological properties of semiconducting Mg2Si films[J]. Physics Procedia, 2011,11: 130-133. (EI)

[30]Xiao Qingquan, Xie Quan, Shen Xiangqian, et al. Effects of magnesium film thickness and annealing temperature on formation of Mg2Si films on silicon (111) substrate deposited by magnetron sputtering[J]. Applied Surface Science, 2011,257(17): 7800-7804. SCIEI

[31]Xiao Qingquan, Xie Quan, Chen Qian, et al. Annealing effects on the formation of semiconducting Mg2Si film using magnetron sputtering deposition[J]. Journal of Semiconductors, 2011,32(8): 082002(five pages). EI

[32]Gao Ran, Xie Quan. Study on the electronic structure and optical properties of the environmentally friendly semiconductor Ca3Si4[J]. Physics Procedia, 2011,11: 99-102. EI

[33]Chen Qian, Xie Quan. First-principles calculations on the electronic structure and optical properties of Mg2Si epitaxial on Si (111)[J]. Physics Procedia, 2011,11: 134-137. EI

[34]Zhang Jinmin, Xie Quan, Borjanovi? V, et al. Preparation of the Kondo Insulators FeSi by Magnetron Sputtering[J]. Materials Science Forum, 2010,663-665: 1129-1132. EI

[35]Yang Yinye, Xie Quan. Ca2Si crystal grown selectively by R.F.MS[J]. Journal of Natural Science of Helongjiang University, 2010,27(4): 542-545. EI

[36]Chen Qian, Xie Quan, Zhao Fengjuan, et al. First-principles calculations of electronic structure and optical properties of strained Mg2Si[J]. Chinese Science Bulletin, 2010,55(21): 2236-2242.SCI

[37]Zhou Shiyun, Xie Quan, Yan Wanjun, et al. First-principles study on the electronic structure and optical properties of CrSi2[J]. Science in China Series G-Physics Mechanics and Astronomy, 2009,52(1): 46-51. SCI

[38]Zhou Shiyun, Xie Quan, Yan Wanjun, et al. First-principle study on the electronic structure of stressed CrSi2[J]. Science in China Series G-Physics Mechanics and Astronomy, 2009,52(1): 76-81. SCI

[39]Zhao Fenjuan, Xie Quan, Chen Qian, et al. First-principles calculations on the electronic structure and optical properties of BaSi2[J]. Science in China Series G-Physics Mechanics and Astronomy, 2009,52(4): 580-586. SCI

[40]Yang Yinye, Xie Quan, Wang Yi, et al. Directly Grown Ca2Si Films on Si(100) Substrate at Various Radio-Frequency Sputtering Power[J]. Journal Of Test And Measurement Technology, 2009,23(5): 402-406. EI

[41]Yang Yinye, Xie Quan. Selective Growth of Ca2Si Film by Annealing the Sputtered Ca Films with Different Thickness[J]. Journal of Material s Science & Engineering, 2009,27(5): 675-678.

[42]Yang Yinye, Xie Quan. A single phase semiconducting Ca-silicide film growth by sputtering conditions, annealing temperature and annealing time[J]. Journal of Materials Science, 2009,44(14): 3877-3882. SCIEI

[43]Zhang Jinmin, Xie Quan, Yu Ping, et al. Preparation of α-FeSi2 by laser annealing[J]. Thin Solid Films, 2008,516(23): 8625-8628. SCIEI

[44]Zhang Jinmin, Xie Quan, Zeng Wuxian, et al. Effects of Annealing on Atomic Interdiffusion and Microstructures in Fe/Si Systems[J]. Journal of Semiconductors, 2007,28(12): 1888-1894. EI

[45]牟雪婷, 谢泉, 肖清泉, . 石墨和石墨烯填充导电硅橡胶的拉敏特性研究[J]. 电子元件与材料, 2015, 34(7): 24-27

[46]张宝晖, 谢泉, 肖清泉, . 溅射时间对于Mg2Si/Si 异质结的影响[J]. 电子元件与材料, 2015,34(7): 46-49

[47]杨云良, 廖杨芳, 姚震震, . Mg 膜厚度对Mg2Si 半导体薄膜结构及方块电阻的影响[J]. 半导体技术, 402015,40(7): 525-530

[48]唐华杰, 张晋敏, 金浩, . 椭圆偏振研究溅射气压对锰膜光学性质的影响[J]. 红外与毫米波学报, 2015,34(3): 347-351

[49]范梦慧, 谢泉, 岑伟富, . Tc-P 共掺杂单层 MoS2 光电特性的第一性原理计算[J]. 半导体光电, 2015,4: 013

[50]范梦慧, 谢泉, 蔡勋明, . 点缺陷对单层 MoS2 电子结构及光学性质的影响研究[J]. 原子与分子物理学报, 2015,32(003): 456-462

[51]范梦慧, 蔡勋明, 岑伟富, . 外压调制对 Cr-Se 共掺杂单层 MoS2 光电特性的影响[J]. 固体电子学研究与进展, 2015,2: 013

[52]范梦慧, 蔡勋明, 岑伟富, . 单层 MoS1. 89X0. 11 电子结构及光学性质的第一性原理计算[J]. 激光与光电子学进展, 2015,52(5): 163-170

[53]张学明, 马瑞, 谢泉. Ni掺杂量对Fe3Si合金微波吸收性能的影响[J]. 电子元件与材料, 2014,33(5): 38-42 (中文核心)

[54]闫万珺, 张忠政, 郭笑天, . 第一性原理计算V-Al共掺杂CrSi2的光电特性[J]. 光学学报, 2014,34(4): 416002-416007 EI

[55]马瑞, 谢泉, 黄晋. 合金化效应对Fe3Si结构稳定性和力学性能的影响[J]. 稀有金属材料与工程, 2014,43(3): 665-770 SCIEI

[56]刘怿辉, 谢泉, 陈茜. 硅基外延Mn4Si7薄膜电子结构与光学性质研究[J]. 材料导报, 2014,28(8): 9-12(中文核心)

[57]覃信茂, 谢卓成, 谢泉. 石墨烯改性研究进展[J]. 电子元件与材料, 2014,33(3): 1-4 (中文核心)

[58]邵飞, 张晋敏, 唐华杰, . 溅射Ar流量对Mn膜光学常数的影响[J]. 材料导报, 2014,28(3): 101-103(中文核心)

[59]闫万珺, 张春红, 周士芸, . 第一性原理计算Ti掺杂CrSi2的光电特性[J]. 原子与分子物理学报, 2014,31(1): 167-172(中文核心)

[60]李强, 谢泉, 马瑞, . 厚膜电阻的研究现状及发展趋势[J]. 材料导报, 2014,28(7): 31-37 (中文核心)

[61]唐华杰,张晋敏,金浩,邵飞,胡维前,谢泉. 溅射功率对金属锰膜光学性质的影响[J].物理学报,2013,62(24):2478031-6(SCIEI)

[62]肖清泉,谢泉,沈向前,张晋敏,陈茜.Si衬底上低真空热处理制备单一相Mg2Si半导体薄膜[J].功能材料,2013, 44(4): 585-589. (EI)

[63]余宏,谢泉,肖清泉,陈茜. Mg2Si半导体薄膜的热蒸发制备[J]. 功能材料,2013,44(8):1204-1207.EI

[64]余志强, 谢泉. 功率参数对光电薄膜Mg2Si择优取向的影响[J]. 压电与声光, 2013,35(3): 438--440

[65]丰云, 谢泉, 高冉, . K掺杂正交相Ca2Si电子结构和光学性质的第一性原理计算[J]. 材料热处理学报, 2012,33(9): 155-160. ( EI)

[66]崔冬萌, 贾锐, 谢泉, . Ru0.9375Mn0.0625Si3的电子结构及光学性质研究[J]. 稀有金属材料与工程, 2012,41(10): 1775-1779. SCIEI

[67]闫万珺, 周士芸, 谢泉, . Al 掺杂浓度对 CrSi2电子结构及光学性质的影响[J]. 光学学报, 2012,32(5): 516003. EI

[68]郑旭, 张晋敏,熊锡成,张立敏,赵清壮,谢泉. β-FeSi2异质结的制备及性质研究[J]. 功能材料,2012, 43(11): 1069-1071.EI

[69]马瑞, 谢泉, 赵清壮. 真空热压烧结制备 Fe3Si 基金属间化合物[J]. 材料导报, 2012,26(12): 6-8

[70]沈向前, 谢泉, 肖清泉, . 磁控溅射靶材刻蚀特性的模拟研究[J]. 真空, 2012,49(1): 65-69

[71]沈向前, 谢泉, 肖清泉, . 磁控溅射辉光放电特性的模拟研究[J]. 物理学报, 2012,61(16): 1651016pages. SCIEI

[72]王霞, 李宗宝, 谢泉, . (Fe, N) 双掺杂 MgF2电子结构和光学性质的第一性原理研究[J]. 东北师大学报, 2012,44(3): 101-106. (中文核心)

[73]朱长银, 谢泉, 高廷红. 液态锗快速凝固过程中的分子动力学模拟[J]. 澳门新葡新京学报: 自然科学版, 2011,28(1): 19-22

[74]闫万珺, 周士芸, 谢泉, . Co掺杂β-FeSi2电子结构及光学性质的第一性原理计算[J]. 光学学报, 2011,31(6): 0616003(seven pages) . EI

[75]熊锡成, 谢泉, 闫万珺. β-FeSi2薄膜的厚度与光子波长的关系研究[J]. 光学学报, 2011,31(5): 0531004(five-pages). EI

[76]王朋乔, 谢泉, 罗倩. 掺杂 β-FeSi2的研究进展[J]. 材料导报, 2011,25(1): 26-30.

[77]沈向前, 谢泉, 肖清泉, . 磁控过程的计算机模拟[J]. 真空, 2011,48(3): 49-54.

[78]高冉, 谢泉. 金属问化合物 Ca3Si4光学性质的第一性原理计算[J]. 激光与光电子学进展, 2011,48(7): 142-148.

[79]崔冬萌, 贾锐, 谢泉, . Ru2Si3在应力作用下的第一性原理研究[J]. 发光学报, 2011,32(9): 907-912. EI

[80]朱长银, 谢泉, 高廷红. 冷速对液态 Ge 凝固过程中微观结构的影响[A]. 2010:389-392.

[81]赵珂杰, 谢泉, 肖清泉, . 环境友好半导体Mg2Si薄膜的研究进展[J]. 中国光学与应用光学, 2010,3(5): 446-451.

[82]余志强, 谢泉, 肖清泉. 基于狭义相对论转动质量效应的X-ray光谱分析[J]. 光谱学与光谱分析, 2010,30(4): 1136-1140. SCIEI

[83]余志强, 谢泉, 肖清泉. 狭义相对论下电子自旋轨道耦合对X射线光谱的影响[J]. 物理学报, 2010,59(2): 925-931. SCIEI

[84]杨子义, 谢泉. 粒子数表象中谐振子微扰问题的研究[J]. 信阳师范学院学报: 自然科学版, 2010,23(2): 195-198.

[85]杨子义, 郝正同, 谢泉. Ba3Si4的制备及电子结构的研究[J]. 材料导报, 2010,20(10):1-4.

[86]杨子义, 郝正同, 谢泉. 正交相BaSi2粉晶X射线衍射谱的计算[J]. 材料导报, 2010,24(2): 72-74.

[87]熊锡成, 谢泉, 张晋敏, . 基于FeSi2薄膜的太阳能电池研究[J]. 信阳师范学院学报:自然科学版, 2010,23(4): 632-635.

[88]熊锡成, 谢泉, 张晋敏, . 基于 β-FeSi2薄膜的异质结研究现状[J]. 材料导报, 2010,24(17): 15-20.

[89]肖清泉, 谢泉, 余志强, . Mg2Si半导体薄膜的磁控溅射制备[J]. 材料导报, 2010,24(9): 5-7.

[90]罗倩, 谢泉, 王朋乔, . 固液反应球磨技术的研究进展[J]. 纳米科技, 2010,(5): 29-33.

[91]李旭珍, 谢泉, 陈茜, . OsSi2电子结构和光学性质的研究[J]. 物理学报, 2010,59(3): 2016-2021. SCIEI

[92]李旭珍, 谢泉, 陈茜, . 应力下OsSi2电子结构和光学特性研究[J]. 科学通报, 2010,55(9): 746-751. SCIEI

[93]郝正同, 谢泉, 杨子义. Ba3Si4的制备及电子结构的研究[J]. 材料导报, 2010,24(20): 1-4.

[94]郝正同, 谢泉, 杨子义. BaSi2晶体结构及 X 射线衍射谱的研究[J]. 功能材料, 2010,41(10): 1816-1819. EI

[95]郝正同, 谢泉, 杨子义. 磁控溅射法中影响薄膜生长的因素及作用机理研究[J]. 澳门新葡新京学报: 自然科学版, 2010,27(1): 62-66

[96]高廷红, 谢泉, 朱长银, . 冷速对液态Ca7Mg3合金快速凝固过程中团簇结构的影响[J]. 功能材料, 2010,41: 393-396. EI

[97]崔冬萌, 谢泉, 陈茜, . Si 基外延 Ru2Si3电子结构及光学性质研究[J]. 物理学报, 2010,59(3): 2021-2026. SCIEI

[98]陈站, 张晋敏, 朱培强, . 金属间化合物Fe3Si的性质研究[J]. 功能材料, 2010: 1-4.

[99]周士芸, 谢泉, 闫万珺, . V掺杂 CrSi2能带结构的第一性原理计算[J]. 云南大学学报: 自然科学版, 2009,31(5): 484-488

[100]周士芸, 谢泉, 闫万珺, . 锰掺杂二硅化铬电子结构和光学性质的第一性原理计算[J]. 光学学报, 2009,29(10): 2848-2853. EI

[101]周士芸, 谢泉, 闫万珺, . 应力作用下 CrSi2 电子结构的第一性原理计算[J]. 中国科学: G , 2009,39(4): 587-591.

[102]周士芸, 谢泉, 闫万珺, . CrSi2电子结构及光学性质的第一性原理计算[J]. 中国科学: G , 2009,39(2): 175-180.

[103]赵凤娟, 谢泉, 陈茜, . BaSi2电子结构及光学性质的第一性原理计算[J]. 中国科学: G , 2009,39(2): 260-266.

[104]余志强, 谢泉, 肖清泉, . 基于Bohr-Sommerfeld量子理论的X射线光谱分析[J]. 物理学报, 2009,58(8): 5318-5322. (SCIEI

[105]余志强, 谢泉, 肖清泉, . Mg2Si 晶体结构及消光特性的研究[J]. 物理学报, 2009,58(10): 6889-6893. SCIEI

[106]谢泉, 陈茜, 肖清泉, . 开设物理及材料科学类课程情况调查[J]. 电气电子教学学报, 2009,31: 24-26.

[107]郝正同, 杨子义, 谢泉. 新型半导体材料 BaSi2的研究进展[J]. 材料导报, 2009,23(19): 28-31.

[108]高廷红, 刘让苏, 周丽丽, . 液态 Ca7Mg3合金快速凝固过程中团簇结构的形成特性[J]. 物理化学学报, 2009,25(10): 2093-2100. SCIEI

[109]崔冬萌, 谢泉, 陈茜, . Si (001) 面上外延生长的 Ru2Si3电子结构及光学性质研究[J]. 光学学报, 2009,29(11): 3152-3156. EI

[110]崔冬萌, 谢泉, 陈茜, . Ru2Si3电子结构及光学性质的第一性原理计算[J]. 中国科: G , 2009,39(10): 1431-1438.

[111]陈茜, 谢泉, 杨创华, . 掺杂 Mg2Si 电子结构及光学性质的第一性原理计算[J]. 光学学报, 2009,29(1): 229-235. EI

[112]张晋敏, 谢泉, 余平, . 激光扫描磁控溅射Fe/Si膜直接形成α-FeSi2[J]. 功能材料, 2008,39(7): 1087-1090. EI

[113]张晋敏, 谢泉, 梁艳, . 溅射参数对Fe-Si化合物的相形成及结构的影响[J]. 四川师范大学学报:自然科学版, 2008,31(5): 593-596.

[114]张晋敏, 谢泉, 梁艳, . Fe/Si 薄膜中硅化物的形成和氧化[J]. 材料研究学报, 2008,22(3): 297-302. EI

[115]闫万珺, 谢泉. 掺杂 β-FeSi2的电子结构及光学性质的第一性原理研究[J]. 半导体学报, 2008,29(6): 1141-1146. EI

[116]肖清泉, 谢泉, 杨吟野, . 环境半导体材料Ca2Si的电子结构研究[J]. 海南师范大学学报, 2008,21(2): 148-152.

[117]肖清泉, 谢泉, 杨吟野, . 环境半导体Ca2Si薄膜制备及椭偏光谱研究[J]. 湖南工程学院学报:自然科学版, 2008,18(4): 37-39.

[118]崔冬萌, 任雪勇, 谢泉, . 环境友好半导体 Ca2Si 晶体生长及其性能研究[J]. 吉林大学学: 信息科学版, 2008,26(5): 459-464.

[119]陈茜, 谢泉, 闫万珺, . Mg2Si 电子结构及光学性质的第一性原理计算[J]. 中国科学 G , 2008,38(7): 825-833.

[120]朱林山, 金石声, 苟富均, . 低能入射SiSi(001)2×1重构表面相互作用过程的分子动力学模拟[J]. 半导体学报, 2007,28(11): 1748-1755. EI

[121]周士芸, 谢泉, 闫万珺, . CrSi2能带结构和光学性质的第一性原理研究[J]. 功能材料, 2007,38(A1): 379-383

[122]杨创华, 谢泉, 赵凤娟, . Ca2Si电子结构和光学性质的研究[J]. 功能材料, 2007,38(A10): 4124-4128

[123]闫万珺, 谢泉, 张晋敏, . 铁硅化合物β-FeSi2带间光学跃迁的理论研究[J]. 半导体学报, 2007,28(9): 1381-1387. EI

[124]闫万珺, 谢泉, 杨创华, . Fe0. 875Mn0. 125Si2的几何结构与电子结构的第一性原理研究[J]. 功能材料, 2007,38(A01): 376-378.

[125]谢泉. 纳米硅化物环境友好半导体材料的研究进展[J]. 功能材料信息, 2007,5(5): 11.

[126]任雪勇, 谢泉, 杨吟野, . 溅射功率对Ca2Si薄膜性质的影响[J]. 功能材料, 2007,38(A04): 1519-1521.

[127]梁艳, 谢泉, 曾武贤, . 退火温度对磁控溅射制备的β-FeSi2薄膜的影响[J]. 功能材料, 2007,38(A01): 373-375.

[128]金石声, 朱林山, 苟富均, . 低能 He+, Ar+, Xe+轰击 SiC 的蒙特卡诺模拟[J]. 功能材料, 2007,38(10): 1590-1593. EI

[129]陈茜, 谢泉, 闫万珺, . Mg2Si 电子结构及光学性质的研究[J]. 功能材料, 2007,38(A10): 4119-4123.

[130]曾武贤, 谢泉, 梁艳, . 不同溅射气压对β-FeSi2形成的影响[J]. 功能材料, 2007,38(A01): 367-369.

[131]闫万珺, 谢泉, 朱林山, . 固体能带计算方法[J]. 澳门新葡新京学报: 自然科学版, 2006,23(1): 68-72.

[132]罗胜耘, 谢泉, 张晋敏, . 热处理对环境半导体材料β-FeSi2形成的影响[J]. 澳门新葡新京学报:自然科学版, 2006,23(1): 81-85.

[133]谢泉, 罗姣莲, K. Yamada, K. Miyake.Ni1-xMnx0.2x0.3)在强磁场中的GNR特性研究. 第十二届全国凝聚态物质光学性质学术会议论文(摘要)集, 2004, P245.

[134]K.Yamada, K. Miyake, Z. Honda, Q. Xie. Magneto-transport study of beta-Fe-Si alloy system in pulsed high fields up to 30TThe 8th IUMRS Int. Conf. on Advanced Materials Oct. 8-13, 2003, Yokohama, Japan.(SCI).

[135]K. Yamada, T. Okazaki, Y. Sakisaka, Z. Honda,K. Miyake,Q. Xie, Designed iant magnetoresistances of Ni-Mn and Fe-Si alloy syetem in high fields up to 30T. ISEF 2003 –11th International Symposium on Electromagnetic Fields in Electrical Engineering Maribor,Slovenia, September 18-20,2003(SCI).

[136]谢泉, 刘让苏,彭平, 徐仲榆, 罗姣莲. 炭黑/硅橡胶复合型导电橡胶的导电特性[J]. 湖南大学学报, 2002, 29(2):68-73.

[137]谢泉, 侯立松, 干福熹, 阮昊,李晶,李进延. 溅射气压对Ge2Sb2Te5薄膜光学常数的影响[J].光学学报,2001, 21(3):313-316.(EI)

[138]Zheng Caixing, Liu Rangsu, Dong Kejun, Peng Ping, Liu Hairong, Xu Zhongyu, Xie Quan. Simulation study on transition mechanisms of microstructures during forming processses of amorphous metals , Trans. Nonferrous Met. Soc. China, 11(1): (SCI).

[139]谢泉, 罗姣莲, 干福熹. 复合型导电硅橡胶的电阻温度特性研究[J].物理学报, 2000, 49(6):1191-1195. SCI.

[140]谢泉, 侯立松, 阮昊,干福熹, 李晶. 溅射参数对Ge2Sb2Te5薄膜光学常数的影响[J]. 半导体学报,2001, 22(2):187-192. (EI)

[141]Li Jing, Gan Fuxi, Gu Zhengtian, Xie Quan, Ruan Hao, Liang Peihui. Determination of optical parameters of GeTe semiconductor films after thermal treatment. Optical Materials, 2000, 14: 337-343,(SCI).

[142]Xie Quan, Hou Lisong, Ruan Hao, Li Jing, Li Jinyan, Gan Fuxi. Effect of thermaltreatment on the optical constants of Ge:Sb:Te system,Proc. OfSPIE, 2000, 4085:117 . (SCI)

[143]Xie Quan, Hou Lisong, Ruan Hao, Li Jinyan, Li Jing, Gan Fuxi, Effect of preparation parameters on the optical constants of Ge2Sb2Te5 thinfilmProc.OfSPIE, 2000, 4085:112. (SCI)

[144]谢泉,罗姣莲, 干福熹, 刘让苏, 彭平, 徐仲榆. 炭黑填充复合型导电硅橡胶的导电机理研究及电阻率计算[J]长沙交通学院学报,2000, 16(3):4-7.

[145]谢泉, 侯立松, 干福熹, 阮昊, 李晶, 李进延. 溅射功率对Ge2Sb2Te5薄膜光学常数的影响[J]. 材料研究学报, 2000,10:501-504.

[146]李晶, 顾铮先, 干福熹, 谢泉,阮昊, 梁培辉. 不同热处理的GeTe薄膜的光学参数测量[J]. 光学学报, 2000,8:1128-1133.

[147]谢泉, 罗姣莲,刘让苏, 彭平, 王理.磁敏导电硅橡胶的特性及机理[J]. 材料研究学报, 1999, 13(6):670-672.

[148]谢泉,罗姣莲,黄宏伟,干福熹. 填充粒子对复合型导电硅橡胶电阻温度特性的影响[J]. 功能高分子学报, 1999, 12(4):414-418.

[149]Li Jinyan, Hou Lisong, Ruan Hao, Xie Quan, Gan Fuxi. Effects of sputtering parameters on the optical properties of AgInSbTe phase-change films. Proc. Of SPIE, 2000, 4085(5):125. (SCI)

[150]Li Jiyong, Zhou Zheng, Liu Rangsu, Xie Quan, Peng Ping. Microstructural Transitions During the Rapid Cooling Process of Liquid Metal Al, J. Mater. Sci. Technol. 1998, 14(5):461. (SCI)

[151]Liu Rangsu, Li Jiyong, Zhou Zheng, Dong Kejun, Peng Ping, Xie Quan, Zheng Caixing, Stability of Microstructures During Cooling Processes of Al Liquid Metal.Trans. Nonferrous. Met.Soc. China, 1998, 8(4): (SCI)

[152]Liu Rangsu, Li Jiyong, Zhou Zheng, Dong Kejun, Peng Ping, Xie Quan. The High-temperature Properties of Microstructure Transitions in Liquid Metal Al, Mater. Sci. Eng. 1999, B57: 214. (SCI)

[153]Li Qinghui, Hou Lisong, Li Jinyan, Xie Quan, Gan Fuxi, Optical properties and static optical recording performance of (AgInSbTe)1-xOx films using short-wavelength laser. Proc. Of SPIE, 2000, 4085(5):133. (SCI)

[154]Li Jinyan, Hou Lisong, Ruan Hao, Xie Quan, Gan Fuxi, Effects of film thickness on the optical properties of AgInSbTe phase change films. Proc. Of SPIE, 2000, 4085(5):129. (SCI)

[155]彭平, 刘让苏, 谢泉, 徐仲榆. 退火处理对快凝Ni-Si-B 非晶合金电阻温度特性的影响[J]. 材料科学与工艺, 1999, 4: 36.

[156]谢泉,罗姣莲,干福熹. 自然老化对导电硅橡胶电阻特性的影响[J]. 合成橡胶工业, 1999, 22(5):291-293.

[157]谢泉,罗姣莲,干福熹. 温度对导电硅橡胶电阻特性的影响[J]. 特种橡胶制品,1999, 20(6):13-16.

[158]谢泉,罗姣莲,干福熹. 自然老化对导电硅橡胶线性特性的影响[J].合成橡胶工业, 2000, 21(1):41-43.

[159]谢泉,侯立松,干福熹.信息技术的支柱-光存储[J].衡阳师范学院学报, 1999, 20(6):1-8.

[160]彭平, 刘让苏, 徐仲榆, 苏玉长, 谢泉. 热处理对快凝Ni74Si10B16非晶合金热稳定性的影响[J]. 功能材料,1999, 30(3):281-282. (EI)

[161]李基永,刘让苏, 周征, 谢泉, 彭平. 液态金属的初始状态对凝固微结构影响的模拟研究[J]. 原子与分子物理学报, 1998, 15(2):193-197.

[162]彭平,刘让苏,徐仲榆,易双萍,周征,谢泉,李基永. 快速凝固Cu70.5Al26.8Ni2.7带壮合金及其形状记忆特性[J]. 1999, 7(3):80-82.

[163]李基永,刘让苏,周征,谢泉,彭平.液态金属及其凝固过程的微观结构转变特性研究. 96年中国材料研讨会材料设计与加工, Proceedings of C-MRS.

[164]谢泉, 刘让苏, 徐仲榆, 彭平, 张友玉. 石墨、炭黑及白炭黑在橡胶中的微结构分析[J]. 电子显微学报,1998, 17(2):172-175.

[165]谢泉, 刘让苏, 徐仲榆, 彭平. 白炭黑对导电硅橡胶的线性及电阻特性的影响[J]. 材料研究学报, 1997, 11,(5):559-560.

[166]谢泉, 刘让苏, 徐仲榆, 彭平. 白炭黑和炭黑含量对导电硅橡胶拉敏特性影响的研究[J]. 高分子材料科学与工程,1998, 14(1):94-97.

[167]谢泉, 刘让苏, 彭平. Ni-Si-B系非晶合金的结晶度与退火温度关系的研究[J].湖南大学学报, 1995, 22(3):42-46. 俄文文摘、化学文摘收录.

[168]Peng Ping, Liu Rang-su, Xie Quan. The effect of high content of metalloid on resistivity and temperature coefficient of resistivity of amorphous TM-Malloys,MaterialsScience Engineering B, 1996, B38:62-64(SCI)

[169]Peng Ping, Liu Rang-su, Xie Quan. A Method for estimating total effective conducting electron numbers ofamorphous TM-M alloys with high metalloid content, MaterialsScience Engineering B, 1996, B41:258. (SCI)

[170]彭平, 刘让苏, 谢泉. 高类金属含量Ni基非晶态合金总有效传导电子数的估算[J]. 中国有色金属学报,1997, 7(1):80-83,化学文摘收录.

[171]李基永, 刘让苏, 周征, 谢泉, 彭平. 液态金属铝及其凝固过程的微观结构转变特性[J]. 中国有色金属学报,1997, 7(3):81. (SCI)

[172]彭平, 刘让苏, 谢泉. 高类金属含量Ni基非晶态合金的电阻温度特性[J]. 材料研究学报, 1995, 9(5):395-398.

[173]谢泉, 刘让苏, 徐仲榆, 彭平, 陈林. 导电硅橡胶的拉敏特性及导电机理研究[J]. 特种橡胶制品,1996, 17(5):1-5.

[174]谢泉, 刘让苏, 彭平. Ni-Si-B系非晶合金的结晶度与退火时间的关系[J].湖南大学学报,1997, 24(2):14-16.化学文摘收录.

[175]谢泉, 刘让苏, 彭平, 徐仲榆. 导电硅橡胶的线性电阻特性研究[J]. 湖南大学学报, 1996, 23(4): 22-24.

[176]谢泉, 刘让苏, 彭平, 赵玉华, 徐仲榆. 白炭黑对导电硅橡胶拉敏特性的影响[J]. 合成橡胶工业, 1996, 19(4):229-231.化学文摘收录.

[177]谢泉.改进专业限选课教学方法[J].高等教育研究,1996,(1): 43.

[178]刘让苏, 彭平, 谢泉, 赵钦球. 高类金属含量非晶态合金的晶化温度研究[J]. 材料科学与工艺, 1994, 2(2):10-13.

[179]彭平, 刘让苏, 谢泉, 朱正华. 非晶态Ni72Si15B13合金电阻随拉应变可逆变化的区域[J]. 功能材料,1995, 26(5):459-461.(EI)

[180]彭平, 刘让苏, 谢泉, 薛开武. B原子浓度对非晶态Ni-Si-B 系合金电阻应变系数的影响.[J]湖南大学学报, 1996, 23(4):25-28.

[181]彭平, 刘让苏, 谢泉. B含量对非晶态Ni72-XSi15B13+xx=0, 2, 4, 6, 8)合金脆化温度的影响[J]. 材料科学与工艺, 1996, 4(3):20-24.

[182]彭平, 刘让苏, 谢泉. 高类金属含量Ni基非晶态合金总有效传导电子数的估算及应用[J]. 材料科学与工艺, 1996, 4(4):112-115.(EI)

[183]谢泉, 刘让苏, 彭平, 徐仲榆. 自然老化对导电硅橡胶电特性的影响. 96年中国材料研讨会, Proceedings of C-MRS.

[184]谢泉, 刘让苏, 彭平, 徐仲榆.自然老化对导电硅橡胶的线性特性的影响.96年中国材料研讨会, Proceedings of C-MRS.等。

授权专利:

1、谢泉,张晋敏,肖清泉,梁艳,曾武贤,王衍,马道京. 制备Cr掺杂b-FeSi2薄膜的工艺方法. 发明授权专利号:ZL 2010 1 0148151.3. 授权时间:2012425日,IPC分类号:C23C14/35C23C14/02C23C14/16

2、谢泉,肖清泉,张晋敏,陈茜,余志强,赵珂杰. 环境友好半导体材料Mg2Si薄膜的磁控溅射制备工艺. 发明授权专利号:ZL 2010 1 0147304.2. 授权时间:201274日,IPC分类号:C23C14/35C23C14/58C23C14/06

3、谢泉,肖清泉,余宏,陈茜,张晋敏. 一种单一相Mg2Si半导体薄膜的制备工艺. 国家发明授权专利号:ZL 2012 1 0455881.7. 授权时间:2015311.

4、谢泉,廖杨芳,张宝晖,杨云良,肖清泉,梁枫,张晋敏,陈茜,谢晶,范梦慧,黄晋,章竞予. 一种红外探测器,实用新型专利号:ZL 2015 2 0014583.3. 授权时间:2015513.

5、谢泉,廖杨芳,杨云良,肖清泉,张宝晖,梁枫,王善兰,吴宏仙,张晋敏,陈茜,谢晶,范梦慧,黄晋,章竞予,一种发光二极管,实用新型专利,证书号:ZL 2015 2 0521746.7,授权日:2015114

6、谢泉;陈侃;肖淸泉;徐志勇;张忠民;郭笑天;庞雪;邵鹏;陈茜;高廷红,杀虫灯,外观设计专利,证书号:ZL 2015 3 0042457.1,授权日:2015930

7谢泉;陈侃;肖淸泉;徐志勇;张忠民;郭笑天;庞雪;邵鹏;陈茜;高廷红;一种杀虫灯,实用新型专利,证书号:ZL 2015 2 0098848.2,授权日:2015107

8、谢泉,廖杨芳,吴宏仙,房迪,王善兰,刘小军,梁枫,肖清泉,张晋敏,陈茜,马瑞,谢晶,范梦慧,黄晋,章竞予,一种智能车位锁,实用新型专利,证书号:ZL 2015 2 1119854.8,授权日:2016525

所获荣誉与兼任职务

按时间先后:民进中央全国优秀会员(2005年);贵州省第2批优秀科技工作者(2006年);全国各民主党派、工商联、无党派人士为全面建设小康社会作贡献全国先进个人(民主党派全国劳模,2006年);为全面建设小康社会作贡献民进中央全国先进个人(2006年);贵州省五一劳动奖章获得者(2007年);第2届中国归国侨眷“科技人才创新”奖(2007年);澳门新葡新京逾十年教龄“教书育人风范奖”(2007年);澳门新葡新京优秀科研特等奖(2009年);贵州省首届青年科技创新人才奖(2009年)。贵州省科技进步三等奖(谢泉、张晋敏、肖清泉、陈茜、黄晋,环境半导体材料β-FeSi2的光电子特性及薄膜制备机理研究,贵州省科技进步奖三等奖,时间:2012年12月);第四届贵州省自然科学优秀学术论文三等奖(肖清泉、谢泉、沈向前、张晋敏、余志强、赵珂杰,学术论文,贵州省科协,2012年);贵州省首届优秀博士生导师(2014年11月),贵州省首届研究生教学成果奖二等奖(谢泉,张晋敏,刘紫燕,肖清泉,陈茜,电子科学与技术研究生创新培养研究,贵州省教育厅, 2015年11月);民进贵州省委员会副主任委员,贵州省管专家;十二届全国人大代表;2013-2017教育部电子信息专业教学指导委员会委员;科技部863计划专家库专家;科技部火炬计划项目评审专家;科技部国际合作课题评审专家;国家自然科学基金同行评议专家;中国中小企业融资项目评审咨询专家;贵州省科技厅新材料领域专家小组成员;民进贵州省委专家咨询团成员;澳门新葡新京新型光电子材料与技术研究所所长,贵州省青年联合会第八届副主席,贵州省第九、十届省政协委员,中国民主促进会会员,民进澳门新葡新京基层委员会主任,中国仪器仪表学会理事,高级会员。

(按时间先后:澳门新葡新京新型光电子材料与技术研究所所长(2004-),贵州省科技厅新材料领域专家小组成员(2004-);贵州省青年联合会第八届副主席(2005-2010),贵州省第九、十届省政协委员(2005),贵州省优秀青年科技人才(2005年);国家自然科学基金同行评议专家(2005-);中国民主促进会会员(2005-),民进贵州省委员会副主任委员(2006-),2013-2017教育部电子信息专业教学指导委员会委员(2006-);科技部863计划专家库专家(2006-);科技部火炬计划项目评审专家(2006-);科技部国际合作课题评审专家(2006-);中国仪器仪表学会理事,高级会员(2006-);民进贵州省委专家咨询团成员(2006-);民进澳门新葡新京基层委员会主任(2007-),中国中小企业融资项目评审咨询专家(2008-);贵州省管专家(2012-);十二届全国人大代表(2013-);澳门新葡新京留学归国人员联谊会会长(2013.12-),贵州省留学归国人员联谊会理事(2013.12-),贵州省委政策研究室决策咨询专家2014.9),贵州省政府特殊津贴获得者(2015.3),贵州省百层次人才(2015)

国内外学术会议

08年以来参加或主持的国内外学术会议

1.第四届国际分子模拟与信息技术应用学术会议,20081116-19日,广东广州

2.第十五届全国原子与分子物理学术会议, 2009711-17, 贵州贵阳

3.光学前沿-2009全国信息光学与光子器件学术会议,200982-6日,山东青岛

4.2010 Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials Science and Technology Towards Sustainable OptoelectronicsJuly 23-262010TsukubaJapan

5.2010 International Conference on Optical, Electronic and Electrical MaterialsAugust 1-42010Kunming, China

6.2010 International Conference on Material and Manufacturing TechnologySeptember 17-192010Chongqing, China

7.第七届中国功能材料及其应用学术会议,20101015-18日,湖南长沙

8.2011太阳能光伏IC创新与应用研讨会,20111221,苏州;

9.2012第七届亚洲太阳能光伏工业论坛2012321-22日,上海;

10.第十八届离子束材料改性国际会议,201292-7日,山东,青岛;

11.第六届国际分子模拟与信息技术应用学术会议,2012513-15日,江苏,南京;

12.2013年全国粉体加工装备技术与应用及散装装卸输送技术发展研讨会,201363-5日,湖北,武汉;

13.2013 Asia-Pacific Conference on Green Technology with Silicides and Related MaterialsJuly 27-292013TsukubaJapan

14.教育部高等学校电子信息类教学指导委员会第二次工作会议,2014.8.9-2014.8.10,贵州,贵阳,澳门新葡新京;

15.第十四届全国固体薄膜学术会议,2014.7.29-2014.8.1,贵州,贵阳,澳门新葡新京,并做主题发言;

16.中国材料大会20152015.7.10-2015.7.14,贵阳

17.第十届全国硅基光电子材料及器件研讨会,2015.7.7-2015.7.9,贵阳。

18.第十八届全国凝聚态光学性质学术会议,2016.8.5-2016.8.8,贵阳

19.全国材料基因工程与材料大数据博士后学术论坛, 2016.10.22-23,澳门新葡新京

 

 
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