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陈茜老师介绍
新葡京8883net: 2014-08-11 浏览次数: 2330



陈茜(1981-),女,博士,副教授。



       19999-20037月:广东海洋大学电子信息工程专业,获学士学位;

       20039-20067月:澳门新葡新京微电子学与固体电子学专业,获硕士学位;

       20069-20107月:澳门新葡新京微电子学与固体电子学专业,获博士学位;

       20067月至今:澳门新葡新京,教师;

       20137-20147月:被借调到教育部科技司。



       贵州省科技进步三等奖(谢泉、张晋敏、肖清泉、陈茜、黄晋,环境半导体材料β-FeSi2的光电子特性及薄膜制备机理研究,贵州省科技进步奖三等奖,时间:201212月);澳门新葡新京2011年本专科生我心目中的好老师;在澳门新葡新京2009年教师节表彰活动中被评为优秀青年老师;澳门新葡新京2007-2009年精神文明建设先进个人;澳门新葡新京理学院2008年多媒体课件制作竞赛一等奖。贵州省首届研究生教学成果奖二等奖(谢泉,张晋敏,刘紫燕,肖清泉,陈茜,电子科学与技术研究生创新培养研究,贵州省教育厅, 20159)



      

主持的项目:

[1]半导体高锰硅化物的光电性质研究,贵州省科技厅、澳门新葡新京联合资金项目,项目编号:黔科合LH[2014]7610

[2]环境友好半导体材料Mg2Si的性质计算及应用研究,澳门新葡新京引进人才科研项目,合同号:贵大人基合字(2010032号,4万,主持;

[3]新型环境友好半导体光电子材料Mg2Si的研究,贵州省科学技术基金,合同号:黔科合J[2011]2323, 2011.6-2014.63万,主持;

[4]基于FeMg环境友好半导体材料光电子器件的设计与模拟,贵州省青年英才培养工程项目,合同号:黔省专合字(2012152号, 2012.7-2015.72.5万,主持;

[5]Mg2Si电子结构及光学性质的研究及其应用,贵阳市科技计划项目,合同号:筑科计(20076号),2008.01-2009.121.5万,主持;

[6]Mg2Si电子结构及光学性质的研究,澳门新葡新京研究生创新基金,合同号:省研究理工20070032007.9-2009.40.5万,主持;

参与的项目:

[1]基于环境友好半导体材料β-FeSi2Mg2Si的光电子器件设计与研究,国家自然科学基金,合同号: 612640042013.1-2016.12, 50万,参与;

[2]环境友好半导体光电子材料Mg2Si红外传感器的开发研究,贵州省教育厅125重大专项,合同号:黔教合重大专项字[2012]0032012.10-2015.1280;

[3]贵州省先进光电子材料与技术创新人才团队,贵州省科技创新人才团队建设专项资金,合同号:黔科合人才团队(20114002, 2011.10-2014.1021万,参与;

[4]硅化物LED光电子器件开发,贵州省科技攻关项目,合同号:黔科合GY字〔201130152011.6-2014.535万,参与;

[5]半导体材料SiGeSiGe合金液态凝固过程中的遗传特性研究,贵州省国际科技合作计划项目,合同号:黔科合外G[2012]70042012.6-2014.510万,参与

[6]新型环境友好半导体材料β-FeSi2及其光电子器件的研究,科技部国际合作专项项目,合同号:2008DFA52210, 2008.1-2010.12.3080万,参与;

[7]新型环境友好半导体材料βFeSi2薄膜的制备及其在太阳能电池中的应用研究,贵州省信息产业厅项目,合同号:08312008.6-2010.610万,参与;

[8]环境半导体材料Ca2Si的制备与应用研究,国家自然科学基金项目,合同号:60766002 2008.1-2010.12, 20万,参与;

[9]环境半导体材料β-FeSi2的物理基础与关键技术,国家自然科学基金项目,合同号:605660012006.1-2008.1220万,参与;

授权的专利(申请国家发明专利3项,已授权1项):

[1]谢泉,肖清泉,张晋敏,陈茜,余志强,赵珂杰. 环境友好半导体材料Mg2Si薄膜的磁控溅射制备工艺. 国家发明授权专利号:ZL 2010 1 0147304.2. 授权时间:201274

近期发表的论文:

  1. Chen Qian, Xie Quan, Xiao Qingquan, Zhang Jinmin. The influence of lattice deformation on the elastic properties of Mg2Si[J]. Science China-Physics, Mechanics and Astronomy, 2013,56(4): 701-705 (SCI) 1.169

  2. Chen Qian, Xie Quan, Zhao Fengjuan, et al. First-principles calculations of electronic structure and optical properties of strained Mg2Si[J]. Chinese Science Bulletin, 2010,55(21): 2236-2242. (SCIEI)

  3. Chen Qian, Xie Quan. First-principles calculations on the electronic structure and optical properties of Mg2Si epitaxial on Si (111)[J]. Physics Procedia, 2011,11: 134-137. (EI)

  4. Chen Qian, Xie Quan, Zhao Feng-Juan, Cui Dong-Meng, Li Xu-Zhen. First- Principles Calculation of Electronic Structure of Mg2Si with Doping. IFITA 2009 Proceedings, 2009, 1: 338-341. (EI)

  5. Yu Hong, Xie Quan, Chen Qian. Effects of annealing on the formation of Mg2Si film prepared by resistive thermal evaporation method[J]. Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 2013, 24(10):3768-3775. (SCI).

  6. 陈茜, 谢泉, 闫万珺, . Mg2Si 电子结构及光学性质的第一性原理计算[J]. 中国科学 G , 2008,38(7): 825-833.

  7. 陈茜, 谢泉, 杨创华, . 掺杂 Mg2Si 电子结构及光学性质的第一性原理计算[J]. 光学学报, 2009,29(1): 229-235. (EI)

  8. 陈茜, 谢泉. Mg2-xCux(x=0.25)电子结构及光学性质的研究. 光学学报, 2009, 29(s2): 15-20. (EI)

  9. 陈茜, 谢泉, 闫万珺, . Mg2Si 电子结构及光学性质的研究[J]. 功能材料, 2007,38(A10): 4119-4123.

  10. Zhao Fengjuan, Xie Quan, Chen Qian, et al. First-principles calculations on the electronic structure and optical properties of BaSi2[J]. Science in China Series G-Physics Mechanics and Astronomy, 2009,52(4): 580-586. (SCI)

  11. Zhou Shiyun, Xie Quan, Yan Wanjun, et al. First-principle study on the electronic structure of stressed CrSi2[J]. Science in China Series G-Physics Mechanics and Astronomy, 2009,52(1): 76-81. (SCI)

  12. Zhou Shiyun, Xie Quan, Yan Wanjun, et al. First-principles study on the electronic structure and optical properties of CrSi2[J]. Science in China Series G-Physics Mechanics and Astronomy, 2009,52(1): 46-51. (SCI)

  13. Xiao Qingquan, Xie Quan, Chen Qian, et al. Annealing effects on the formation of semiconducting Mg2Si film using magnetron sputtering deposition[J]. Journal of Semiconductors, 2011,32(8): 082002(five pages). (EI)

  14. Zhang Jinmin, Xie Quan, Liang Yan, et al. Atomic diffusion in the interface of Fe/Si prepared by magnetron sputtering[J]. Physics Procedia, 2011,11: 126-129. (EI)

  15. Zhang Jinmin, Xie Quan, Liang Yan, et al. Thermal process of iron silicides prepared by Magnetron sputtering[J]. Physics Procedia, 2011,11: 122-125. (EI)

  16. 崔冬萌, 谢泉, 陈茜, . Ru2Si3电子结构及光学性质的第一性原理计算[J]. 中国科学: G , 2009,39(10): 1431-1438.

  17. 崔冬萌, 谢泉, 陈茜, . Si (001) 面上外延生长的 Ru2Si3电子结构及光学性质研究[J]. 光学学报, 2009,29(11): 3152-3156. (EI)

  18. 崔冬萌, 谢泉, 陈茜, . Si 基外延 Ru2Si3电子结构及光学性质研究[J]. 物理学报, 2010,59(3): 2021-2026. (SCIEI)

  19. 李旭珍, 谢泉, 陈茜, . 应力下OsSi2电子结构和光学特性研究[J]. 科学通报, 2010,55(9): 746-751. (SCI)

  20. 李旭珍, 谢泉, 陈茜, . OsSi2电子结构和光学性质的研究[J]. 物理学报, 2010,59(3): 2016-2021. (SCIEI)

  21. 沈向前, 谢泉, 肖清泉, . 磁控溅射辉光放电特性的模拟研究[J]. 物理学报, 2012,61(16): 165101165106pages. (SCIEI)

  22. 谢泉, 陈茜, 肖清泉, . 开设物理及材料科学类课程情况调查[J]. 电气电子教学学报, 2009,31: 24-26.

  23. 杨创华, 谢泉, 赵凤娟, . Ca2Si电子结构和光学性质的研究[J]. 功能材料, 2007,38(A10): 4124-4128.

  24. 赵凤娟, 谢泉, 陈茜, . BaSi2电子结构及光学性质的第一性原理计算[J]. 中国科学: G , 2009,39(2): 260-266.

  25. 周士芸, 谢泉, 闫万珺, . CrSi2能带结构和光学性质的第一性原理研究[J]. 功能材料, 2007,38(A1): 379-383.

  26. 周士芸, 谢泉, 闫万珺, . CrSi2电子结构及光学性质的第一性原理计算[J]. 中国科学: G , 2009,39(2): 175-180.

  27. 周士芸, 谢泉, 闫万珺, . 应力作用下 CrSi2 电子结构的第一性原理计算[J]. 中国科学: G , 2009,39(4): 587-591.

  28. 周士芸, 谢泉, 闫万珺, . 锰掺杂二硅化铬电子结构和光学性质的第一性原理计算[J]. 光学学报, 2009,29(10): 2848-2853. (EI)

  29. 周士芸, 谢泉, 闫万珺, . V掺杂 CrSi2能带结构的第一性原理计算[J]. 云南大学学报: 自然科学版, 2009,31(5): 484-488.

  30. Qian Chen, JinRong Wang, Fulai Chen, Yuruo Zhang. Periodic solutions of quadratic Weyl fractional integral equations[J],Communications in Nonlinear Science and Numerical Simulation, 2014, 19(6): 1945–1955. (SCI) 2.866等。

  

教学方面:

先后主讲电路分析基础、线性代数、传感器原理与应用、模拟电子技术、AutoCAD等本科课程。平均每学年本科生授课300余课时。

人才培养方面:

本科生培养:每年指导7名本科生的毕业论文。














 
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