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肖清泉老师个人简介
新葡京8883net: 2014-08-11 浏览次数: 3339

 


 

肖清泉:博士,教授,新葡京8883net电子科学系主任;

主要研究方向:电子功能材料与器件,计算机模拟;

职:民进澳门新葡新京花溪支部副主任委员;

Emailqqxiaohn@126.comie.qqxiao@gzu.edu.cn

担任《模拟电子技术基础》、《传感器原理与应用》、《概率论与数理统计》、《高等数学》、《热力学与统计物理》、《半导体材料》等课程的教学。近五年来主持省级课题2项,市级课题2项,参与国家课题3项、省部级科题9项。在《AppliedSurfaceScience》、《ThinSolidFilms》、《半导体学报》、《功能材料》、《物理学报》等国内外期刊发表论文20余篇。申请国家发明专利4项,已授权2项。澳门新葡新京工会工作积极分子(2011),民进贵州省委优秀会员(2012)贵州省科技进步奖三等奖(2012年,排名第三);第四届贵州省自然科学优秀学术论文三等奖(2012年)。

 


 

受教育经历

2013/09–2013/12,四川外国语大学出国培训部,获出国英语合格证;

2007/09–2011/12,澳门新葡新京,新葡京8883net电子科学系,博士

2004/09–2007/07,澳门新葡新京,新葡京8883net电子科学系,硕士

1990/09–1993/07,邵阳师范专科学校,物理系物理教育专业

工作经历

2007/09–至今,澳门新葡新京,新葡京8883net电子科学系

1993/07–2004/08,湖南省新邵县第六中学、第五中学。 


 

澳门新葡新京工会工作积极分子(2011)

民进贵州省委优秀会员(2012)

第四届贵州省自然科学优秀学术论文三等奖(2012年);

贵州省科技进步奖三等奖(2012年,排名第三); 




 

科研项目:

1、近期主持的科研项目

[1] 绝缘衬底上单一相Mg2Si半导体薄膜的掺杂及其光电性质研究,贵州省自然科学基金项目,合同号:黔科合J[2014]2052号, 2014.8-2017.86万,主持;

[2] Mg2Si半导体薄膜生长过程的计算机模拟与实验研究, 贵州省国际科技合作计划项目,合同号:黔科合外G[2013]7003, 2013.7- 2016.610万,主持;

[3] 基于Mg2SiLED光电子器件研究, 贵阳市工业振兴科技计划,合同号:筑科合同[2012101] 2-162012.1-2015.12,8万,主持;

[4] 单一相Mg2Si半导体薄膜的制备技术及其光学、电学性质研究,澳门新葡新京引进人才科研项目,合同号:贵大人基合字[2012]022), 2013.1-2015.65.5万,主持;

[5] 环境半导体材料Mg2Si的磁控溅射制备及其性质研究,贵州省科技厅自然科学基金项目,合同号:黔科合J[2009]2059号,2009.6-2012.54万,主持;

2、近期参与项目:

[1] 电子科学与技术品牌特色专业建设,澳门新葡新京品牌特色专业建设项目,合同号: PTJS2013022014.1-2016.1260万,教学科研项目,参与;

[2] 贵州省电子科学与通信工程技术人才基地,贵州省委组织部贵州省第四批人才基地项目,2013.12-2016.12100,参与;

[3]基于环境友好半导体材料β-FeSi2Mg2Si的光电子器件设计与研究,国家自然科学基金,合同号: 612640042012.1-2014.12, 50万,参与;

[4]环境友好半导体光电材料Mg2Si红外传感器的开发研究,贵州省教育厅125重大专项,(黔教合重大专项字[2012]003)2012.10-2015.1280万,参与;

[5]贵州省先进光电子材料与技术创新人才团队,贵州省科技创新人才团队建设专项资金,合同号:黔科合人才团队(20114002, 2011.10-2014.1021万,参与;

[6]硅化物LED光电子器件开发,贵州省科技攻关项目,合同号:黔科合GY字〔201130152011.6-2014.535万,参与;

发表论文:

1、近期第一作者论文:

[1] Xiao Qingquan, Xie Quan, Chen Qian, et al.Solid-State Synthesis of Single phase Mg2Si Films on Si Substrates deposited at various sputtering powers[J]. physica status solidi, 2013,10(12): 1854-1856.(EI)

[2] Xiao Qingquan, Xie Quan, Chen Qian, et al. Annealing effects on the formation of semiconducting Mg2Si film using magnetron sputtering deposition[J]. Journal of Semiconductors, 2011,32(8): 082002-1-5. EI

[3] Xiao Qingquan, Xie Quan, Shen Xiangqian, et al. Effects of magnesium film thickness and annealing temperature on formation of Mg2Si films on silicon (111) substrate deposited by magnetron sputtering[J]. Applied Surface Science, 2011,257(17): 7800-7804. SCIEI

[4] Xiao Qingquan, Xie Quan, Zhao Kejie, et al. Effect of Sputtering Pressure on the Formation of Semiconducting Mg2Si Films[J]. Materials Science Forum, 2011,663-665: 166-169. EI

[5] Xiao Qingquan, Xie Quan, Yu Zhiqiang, et al. Influence of sputtering power on the structural and morphological properties of semiconducting Mg2Si films[J]. Physics Procedia, 2011,11: 130-133. EI

[6] Xiao Qingquan, Xie Quan, Zhao Kejie, et al. Effect of Annealing Atmosphere on the Mg2Si Film Growth Deposited by Magnetron Sputtering[J]. Advanced Materials Research, 2010,129: 290-294. EI

[7] 肖清泉,谢泉,沈向前,张晋敏,陈茜.Si衬底上低真空热处理制备单一相Mg2Si半导体薄膜[J].功能材料,2013, 44(4): 585-589. EI

[8] 肖清泉, 谢泉, 余志强, . Mg2Si半导体薄膜的磁控溅射制备[J]. 材料导报, 2010,24(9): 5-7. (中文核心)

[9] 肖清泉, 谢泉, 杨吟野, . 环境半导体材料Ca2Si的电子结构研究[J]. 海南师范大学学报, 2008,21(2): 148-152

[10] 肖清泉, 谢泉, 杨吟野, . 环境半导体Ca2Si薄膜制备及椭偏光谱研究[J]. 湖南工程学院学报:自然科学版, 2008,18(4): 37-39

2、非第一作者论文:

[1] Chen Qian, Xie Quan, Xiao Qingquan, et al. The influence of lattice deformation on the elastic properties of Mg2Si[J]. Science China-Physics, Mechanics and Astronomy, 2013, 56(4): 701-705 (SCI)

[2] Zhang Jinmin, Xie Quan, Yu Ping, et al. Preparation of α-FeSi2 by laser annealing[J]. Thin Solid Films, 2008,516(23): 8625-8628. (SCIEI)

[3] 余宏, 谢泉, 肖清泉, . Mg2Si 半导体薄膜的热蒸发制备[J]. 功能材料, 2013,44(8): 1204-1207 EI

[4] 沈向前, 谢泉, 肖清泉, . 磁控溅射辉光放电特性的模拟研究[J]. 物理学报, 2012,61(16): 165101-1-6. (SCI)

[5] 沈向前, 谢泉, 肖清泉, . 磁控溅射靶材刻蚀特性的模拟研究[J]. 真空, 2012,49(1): 65-69. (中文核心)

[6] 余志强, 谢泉, 肖清泉. 狭义相对论下电子自旋轨道耦合对X射线光谱的影响[J]. 物理学报, 2010,59(2): 925-931. (SCI)

[7] 余志强, 谢泉, 肖清泉, . 基于Bohr-Sommerfeld量子理论的X射线光谱分析[J]. 物理学报, 2009,58(8): 5318-5322. (SCI)

[8] 余志强, 谢泉, 肖清泉, . Mg2Si 晶体结构及消光特性的研究[J]. 物理学报, 2009,58(10): 6889-6893. (SCI)

[9] 余志强, 谢泉, 肖清泉. 基于狭义相对论转动质量效应的X-ray光谱分析[J]. 光谱学与光谱分析, 2010,30(4): 1136-1140. (SCI)

[10] 沈向前, 谢泉, 肖清泉, . 磁控过程的计算机模拟[J]. 真空, 2011,48(3): 49-54. (中文核心)

[11]张晋敏, 谢泉, 余平, . 激光扫描磁控溅射Fe/Si膜直接形成α-FeSi2[J]. 功能材料, 2008,39(7): 1087-1090.(EI)

授权发明专利:

[1]谢泉,张晋敏,肖清泉,梁艳,曾武贤,王衍,马道京. 制备Cr掺杂b-FeSi2薄膜的工艺方法. 国家发明授权专利号:ZL 2010 1 0148151.3. 授权时间:2012.7

[2]谢泉,肖清泉,张晋敏,陈茜,余志强,赵珂杰. 环境友好半导体材料Mg2Si薄膜的磁控溅射制备工艺. 国家发明授权专利号:ZL 2010 1 0147304.2. 授权时间:2012.4

 

 

 

 

 
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